شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

تکه هایی از این پایان نامه :

2-1-1 نانوسیم های سیلیکونی

نانوسیمهای نیمه هادی مانند نانوتیوبها میتوانند به عنوان سیمهای اتصالی به کار طریقه تا سیگنالها را انتقال داده و همچنین میتوانند قطعه فعالی باشند. نانوسیمها سیمهای بسیار نازک بلندی هستند که از مواد نیمه هادی مانند سیلیکون یا ژرمانیم با قطری در حد سه نانومتر و طول چند میکرومتر ساخته شده اند. قطر مورد نظر 8 برابر کوچکتر ازحداکثر مقدار قابل دسترسی توسط روشهای مبتنی بر تأثیر نگاری نور می باشد .[5]

رشد نانوسیمها توسط روشهایی مانند تبخیر لیزری،1 CVD ، VLS 2 یا ترکیبی از این سه روش انجام شدهاست. در صورتی که نانوسیم به عنوان نیمههادی بهره گیری گردد، روش رشد بایستی کنترل کافی روی سطوح ناخالصی داشته باشد تا سطوح ناخالصی نانوسیمها در طول آن قابل کنترل باشد.[5]

قطعات فعال میتوانند با بهره گیری از نانوسیم و کنترل کردن پروفایل ناخالصی ساخته شوند. در صورتی که یک نانوسیم بخش کوچکی داشته باشد که حاملهای کمتری نسبت به بقیه سیم دارا باشد، یک ترانزیستور اثر میدانی میتواند ایجاد گردد . کم کردن غلظت اتمهای ناخالصی در محیط رشد برای یک پریود زمانی میتواند چنین ناحیهای با ناخالصی کمتر را ایجاد کند. در صورتی که سیم دیگری بالای این ناحیه قرار بگیرد و عایق این دو سیم را از هم جدا کند، منجر به تشکیل ترانزیستور اثر میدانی میشود. برای کنترل جریان، یک بار روی سیم بالایی قرار میگیرد تا حاملها را در نواحی اثر میدانی سیمهای پایینی تخلیه کند. بقیه سیم هم تحت تاثیر قرار نمیگیرد، زیرا تمرکز حاملها به اندازهای بالا می باشد که تخلیه نشوند.شکل 1-3 یک ترانزیستور مبتنی بر نانوسیم سیلیکونی را نشان میدهد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word