عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

3-1-5 آفست

نوعی از آفست که تصادفی نیست ،آفست سیستمی می باشد.زمانی که ماسفت های شکل 3-2 را اندازه دهی کردیم می دانستیم که M7باید به منبع 10 uA و M8 به سینک 10 uA متصل گردد.اگر   M7 را به منبع 100 uA وصل می کردیم اندازه آن از 2/100 به 2/1000 تغییر می نمود.زیرا M8 یک بایاس ثابت 10 uA می باشد ، M7 به ناحیه ترایود می رود تا زمانی که جریان 10 uA که در M8 سینک می گردد را تولید کند.با M7 ناحیه ترایود ولتاژ خروجی بسیار نزدیک به VDD خواهد بود.به گونه موثر شیفت یا آفست در منحنی انتقال شکل 3-3-a دیده می گردد( شکل 3-4-a  ).

برای مدل کردن این شیفت ولتاژ خروجی، می توان آن را به عنوان ولتاژ آفست برگشتی به ورودی به پشت ورودی op-amp برگرداند(شکل 3-4-b).برعکس آفست های تصادفی که ممکن می باشد مقداری مثبت یا منفی داشته باشد.آفست سیستمی همیشه پلاریته معلوم دارد.اگرچه می توان آفست را به گونه سری با ترمینال مثبت مدل کنیم(شکل 3-4) همچنین می توان به سادگی آن را به گونه سری با ترمینال منفی op-amp (با تغییر پلاریته) مدل نمود.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word