عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

2-4 ترانزیستورهای اثرمیدان مبتنی بر نانو لوله های کربنی

در این قسمت، برای انواع مختلف ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی تمرکز میکنیم. دو نوع اصلی CNFET که توسط محققین کشف شده می باشد، CNFET سد شاتکی  [32] و CNFET نوع [33] MOSFET میباشد. در شکل 4-2 )الف( ساختار قطعه و شکل5-2 (الف) خصوصیات هدایتی ترانزیستورهای SB1  را نشان میدهد و شکل 2-4 )ب( و شکل 2-5 )ب( خصوصیات هدایتی ترانزیستورهای MOSFET را نشان میدهد. در ترانزیستورهای مبتنی برنانو لوله کربنی نوع SB ، ولتاژ گیت، عرض سد شاتکی را همانطور که در  شکل 4-2 )الف( نظاره میشود، در سورس کنترل می ‌کند؛پس، وجود تونل در قسمت سورس کانال، جریان ON ترانزیستور را کنترل و این قطعات باعث هدایت دوقطبی در آن میشوند.

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

شکل 2-4) ساختار ترانزیستور مبتنی بر نانولوله های کربنی الف) نوع SB ب( نوع MOSFET

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word