تکه هایی از این پایان نامه :

5-2 مزایای بهره گیری از ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی

ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی تک جداره، به دلیل خصوصیات فوق العاده انتخاب های احتمالی برای مدارات مجتمع دیجیتال آینده میباشند [38] . بعضی از این خصوصیات عبارتنداز زیاد بودن مسیر آزاد پراکندگی 36 که بیش از یک میکرومتر می باشد [37] و منجر به ایجاد قابلیت حرکت پرتابی نزدیک در آنها میشود [39] ، تحرک پذیری بالای حامل ها در نیمه هادی های CNT که تقریباً  می باشد [40] ادغام راحت مواد عایق با K بزرگ مثل ZrO2 یا HfO2 که باعث بهتر شدن خاصیت الکتروستاتیکی گیت میشود؛ به دلیل خواص ذکر گردیده، CNTFET قابلیت این را دارند که کارایی بالا و توان مصرفی پایینتری در مقایسه با تکنولوژی سیلیکونی ارائه دهند [42] [41] . نتایج تجزیه وتحلیلهای نظری نشان میدهند که CNFET سیزده برابر ترانزیستورهای PMOS و شش  برابر ترانزیستورهای NMOS ، در تکنولوژی با ابعاد 32 نانومتر، سریعتر میباشد. [43]

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word