عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

1-4-2 سیاق ساخت ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

شکل 6-2 نمونه ای از سیاق عملیات ساخت CNFET نوع MOSFET را نمایش میدهد. در اینجا در آغاز SiO2 به وسیله ی گرما بروی ویفر سیلیکون رشد می دهند )شکل 6-2 الف(، سپس توسط تأثیر نگاری نوری علامتهای تنظیم شده و از قبل تعیین شده بروی ناحیه نشان داده شده شکل – 6 )ب(، جایی که بعدها CNT بروی آن رشد داده میشود، حکاکی میشود. پس از آن پنجره هایی به عنوان مانع نور بروی ناحیه درین وسورس قرار داده میشود تا مانع ته نشین شدن کاتالیزور Fe ، Co و یا Pt در آن نواحی گردد) شکل 6-2ج(همانطور که در شکل 6-2 )د( دیده میشود کاتالیزور به شکل قطعات مایع یا لایه ای نازک از فیلم فلزی آن، بروی ناحیه مشخص شده در بستره ته نشین میشوند. سپس پنجره های زدنور بصورت شمیایی خورده میشوند) شکل 6-2 ه (و بعد ازآن SWCNT بروی ناحیه کاتالیز شده Si/SiO2 به روش CVD همانطور که در شکل 6-2 )و( مشخص می باشد، سنتز میشود. بعد ایجاد نانو لوله های کربنی، ناحیه اتصال سورس و درین توسط  روش لیتروگرافی نوری و یا پرتویی حکاکی میشود.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word