تکه هایی از این پایان نامه :

2-6-2 تراکم بسته بندی نانولوله ها

ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی، به دلیل ظرفیت پایین جریان عبوری و ناحیه فعال کوچک، برای مدارات کاریردی خیلی قابل بهره گیری نیستند. برای تولید مدارات مقیاس پذیر، آرایه ای از CNT های متراکم به عنوان راه حل در نظر گرفته میشود؛ که در نتیجه آن چندین مسیر انتقال موازی خواهیم داشت که باعث افزایش ظرفیت جریان عبوری آن میشود. ترانزیستوری که از آرایه ای از نانو لوله ها تشکیل شده در [46] نشان داده می باشد. اگرچه، پتی[47] آزمایش و تحلیل هایی بر این اساس انجام داد که اگر بخواهیم تاخیر و مصرف توان کمتری از CMOS سلیکونی داشته باشیم، تقریبا بایستی بتوانیم 250 نانولوله کربنی در هر میکرومتر، مطابق با فضای 2.5 نانومتری بین دو لوله کربنی مجاور با قطر 1.5 نانومتر، را داشته باشیم.به دلیل وجود اثر پوششی شارژ، فضای بین دو لوله مجاور در CNFET های موازی تاثیر بسزایی بروی ظرفیت کانال دارد که این خود بروی جریانی که در هر CNT جاری می- گردد موثر می باشد. بسته بندی تقریبا250 نانو لوله کربنی، تعداد بهینهای از CNT را به ما میدهد که باعث افزایش  تراکم آنها و در نتیجه زیاد گردید جریان عبوری از لوله های موازی میشود.

دنگ[48] و همکارانش 1  کاهش به نصف جریان ON را بین لوله های موازی، وقتی که فاصله بین دو لوله ی مجاور کاهش یافته و به یک نانومتر رسیده بود را مورد پژوهش قرار داده می باشد. از یک طرف افزایش تعداد لوله های موازی، به دلیل افزایش تعداد کانالهای ارتباطی، باعث بهبود جریان عبوری در ترانزیستورهای مبتنی بر CNT ها میشود و از طرف دیگر به دلیل افزایش اثر پوششی لوله های مجاور وقتی تعداد آنها زیاد و فاصله بینشان کم میشود، باعث کاهش جریان عبوری میشوند.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 thesis-power-word