عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

4-1 ساختار مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی

ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی یکی از امیدبخش ترین گزینه ها برای فناوری سیلیکونی به حساب می آید. این ترانزیستورها، با ابعاد کوچک و خصوصیات الکتریکی بسیار مناسب دارای تأخیر و توان مصرفی بسیار کمتر در مقایسه با فناوری ترانزیستورهای سیلیکونی بوده و به علاوه به خاطر ساختار مشابه با فناوری CMOS بسیاری از اصول طراحی و فناوریهای ساخت فناوری سیلیکونی را میتوانند مورد بهره گیری قرار دهند. شکل شماره 4-1 ساختار یک ترانزیستور مبتنی بر نانولوله های کربنی را با چهار نانولوله کربنی نیمه رسانا به عنوان کانال ترانزیستور نشان میدهد. این نانولوله های کربنی بنا به تکنولوژی ساخت به کار گرفته شده بر روی سطح substrate رشد کرده و یا بر روی آن منتقل میگردند. [55]

نواحی از این نانولوله های کربنی که زیر گیت ترانزیستور قرار گرفته اند، از لحاظ بارالکتریکی خنثی بوده و رسانایی این نواحی توسط گیت ترانزیستور کنترل میشود. این در حالی می باشد که نواحی سورس و درین نانولوله های کربنی به شدت باردار می باشد. اتصالات و ارتباطات سورس، درین و گیت توسط پروسسهای تأثیر نگاری نوری مشخص میگردد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word