عنوان کامل پایان نامه :طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

تکه هایی از این پایان نامه :

6-6-2 رشد ناخواسته فلز در نانولوله ها

برای بهره گیری از CNT ها به عنوان ماده کانال، نانو لوله-های کربنی مورد نیاز می باشد؛ به دلیل وجود کایرالیتی، نانولوله ها میتوانند خاصیت فلزی و یا نیمه هادی از خود نشان دهند. در حال حاضر، روش سنتزی برای نانولوله ها وجود ندارد که بتواند بصورت 100 درصد لوله های نیمه هادی تولید نماید. اگر لوله های کربنی خاصیت فلزی داشته باشند، از آنجایی که بین درین و سورس اتصال کوتاه رخ میدهد، ترمینال گیت هیچ کنترلی بر روی کانال نمیتواند داشته باشد. پس، وجود لوله های کربنی در مدارات مبتنی بر نانو لوله های کربنی، دارای اثرات مضر چشمگیری بروی جریان ایستا، تاخیر حاشیه نویز استاتیک و بارآوری آنها می باشد.

اولین بار ساختار CNFET توسط دکر و IBM در سال 1998 مورد مطالعه قرار گرفت. سپس، پیشرفتهای قابل ملاحظه ای بروی ساختار مدارات و قطعات مبتنی بر نانو لوله های کربنی انجام شده می باشد. پیاده سازی فیزیکی وارونگر ، اسیلاتور 5مرحله ای ، گیت NAND و NOR و سلولهای SRAM که با این ساختار ساخته شده اند، توسط گروههای تحقیقاتی مختلف مورد مطالعه قرار گرفته می باشد. در سال 2006، IBM اعلام نمود که اولین مدار مجتمع مبتنی بر نانولوله های کربنی را ساخته می باشد .

یک مدار CNT-OPAMP در مرجع [51] گزارش شده و ارزیابی عملکرد یک CNT-OPAMP مورد مطالعه قرار گرفته می باشد.در مرجع [52] با تغییر تعداد نانولوله های تک دیواره ای در ناحیه کانال CNFET ،بهینه سازی عملکرد CNT-OPAMP مورد مطالعه قرار گرفته می باشد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 thesis-power-word