تکه هایی از این پایان نامه :

 4-6-2 نامرتبی در نانولوله ها

عدم وجود کنترل دقیق بروی موقعیتیابی CNT ها در هنگام ساخت CNFET ، باعث ایجاد نامنظمی در لوله ها میشود پیشرفتهای قابل ملاحظهای برای ساخت CNFET به صورت مرتب صورت گرفته می باشد و در حال حاضر کمتر از 0.5% نانو لوله های ساخته شده بر روی بستر تک کریستال الماس نامنظم هستند] لوله های نامنظم ممکن می باشد باعث ایجاد اتصال کوتاه بین خروجی و ریل تغزیه شده و یا موجب تولید تابع منطقی نادرستی گردند.

5-6-2 وجود اتصالات SB بین سورس و درین ونانولوله ها

واسطه بین نانو لولههای کربنی و فلزی که برای اتصال سورس و درین بهره گیری شده، در یک CNFET سد شاتکی( SB ) را تشکیل میدهد؛ تشکیل این سدهای انرژی برای تزریق الکترونها و حفره ها توسط اتصال شاتکی در [49] ، گزارش داده شده می باشد. ارتفاع SB ها به شدت به ناحیه کاری فلز و شرایط گداختگی بهره گیری شده در طول ساخت CNFET ، بستگی دارد [50] . به وجود آمدن سدهای شاتکی در قسمت سورس و درین یک ترانزیستور باعث کاهش قابل ملاحظه ای در جریان درین ترانزیستور میشوند. پس، برای کارایی عملیاتی بالاتر قطعات CNFET ، فلزهای مناسبی نیاز می باشد که بتوانند در محل اتصال سوری و درین بهره گیری شده و ایجاد اتصال اهمی با آنها کنند.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word